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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Puntuación global
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2065
2361
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-045.A00G 16GB
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Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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