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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
2361
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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