RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
37
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
2361
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-021.A00LF 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link