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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
2361
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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