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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
総合得点
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
総合得点
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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考慮すべき理由
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
37
周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.3
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
14900
周辺 1.14 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
28
読み出し速度、GB/s
9.8
14.3
書き込み速度、GB/秒
7.2
8.6
メモリ帯域幅、mbps
14900
17000
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2065
2361
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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