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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
46
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1854
2925
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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