RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
2925
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link