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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Compara
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
72
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
72
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1822
1728
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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