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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
72
Por volta de 61% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
72
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1822
1728
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
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