RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
72
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
72
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
1728
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link