RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
63
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
52
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2472
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link