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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
63
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
50
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2326
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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