RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
63
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
50
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2326
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link