RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
63
En -186% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3007
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-149.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link