RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
63
Intorno -186% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
22
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
3007
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link