RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
50
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3425
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link