RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
67
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
67
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
1879
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link