RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
67
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
67
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
1879
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link