RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
96
En -284% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
2786
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link