RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
96
Autour de -284% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2786
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link