RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
96
Rund um -284% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2786
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link