RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparez
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Note globale
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
49
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.1
5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
2,343.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
40
Vitesse de lecture, GB/s
5,135.8
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,343.1
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
843
2031
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Comparaison des RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link