RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
75
Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
75
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
1735
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link