RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
75
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
75
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1735
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link