Comparaison de la RAM AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Note globale

AMD R538G1601U2S 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
AMD R538G1601U2S 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

19 25

Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

18.4 14.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.3 9.9

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 12800

Autour de 1.5 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

AMD R538G1601U2S 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

3189 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns