RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Comparar
AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
25
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
9.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
19
25
Velocidade de leitura, GB/s
18.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.3
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3189
2427
AMD R538G1601U2S 8GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link