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AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
25
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
19
25
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
2427
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
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