RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparez
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Note globale
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
44
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
44
Vitesse de lecture, GB/s
14.1
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2228
1660
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C10-8GSR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link