RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
5.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
5.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2228
1660
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link