RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
44
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
44
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
8.5
Скорость записи, Гб/сек
8.7
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2228
1660
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link