RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
44
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
44
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2228
1660
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link