RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
20.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,135.0
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
51
Autour de -183% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
18
Vitesse de lecture, GB/s
5,021.4
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,135.0
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
3601
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link