Comparaison de la RAM Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

5 16

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,135.0 12.6

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 51

Autour de -38% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 6400

Autour de 3 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

855 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns