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Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Comparez
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.2
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
28
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.1
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1908
1763
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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