Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Puntuación global
star star star star star
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 28
    En -4% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.2 left arrow 11.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.1 left arrow 12.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.0 left arrow 7.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1908 left arrow 1763
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones