RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Porównaj
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1908
1763
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link