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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
41
Autour de -28% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2142
2271
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
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