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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

総合得点
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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB

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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 8.6
    テスト平均値
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB 考慮すべき理由
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 41
    周辺 -28% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    14.3 left arrow 9.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.4 left arrow 8.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2142 left arrow 2271

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