RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
39
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
2159
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link