RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
2159
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link