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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
18.2
14.3
写入速度,GB/s
11.5
10.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2159
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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OCZ OCZ3F13332G 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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Corsair CMSO8GX3M1A1600C11 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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