RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,066.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de -81% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
3152
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link