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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.2
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2088
2474
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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