RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.5
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.2
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2088
2474
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link