RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2088
2474
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link