RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
36
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
10.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
14.2
Скорость записи, Гб/сек
10.2
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2088
2474
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link