RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de 62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
73
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
1712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link