RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
73
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link