RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
65
Autour de -124% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3552
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link