RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3552
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 994083 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link