RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
103
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
103
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
1520
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link