RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
103
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
103
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1520
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link